激光行业深度系列报告：激光芯片系光通信价值核心，CW+硅光或成下一代主流（46页，2026年）

分类：半导体电子

标签：激光芯片、光通信、光模块、CW激光器、硅光、半导体、InP、产业链价值、AI算力

摘要：本报告系统梳理了光通信产业链中激光芯片的产业地位、技术路线与供需格局。光芯片是实现光电信号转换的关键元器件，通常由磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等III/V族化合物半导体材料制成，作为光模块实现光电转换的核心载体，直接决定整机性能上限。光通信产业链呈“光通信芯片—光通信组件—光模块—光通信设备—终端市场”结构，光芯片处于最前端，是组件与光模块的核心元器件。从产业链价值看，光芯片成本占光模块总成本的30%至60%，且随光模块向800G、1.6T乃至3.2T迭代，该占比有望超过60%甚至70%；高端光芯片的毛利率显著高于光模块组装环节，随着CPO等新一代技术量产，产业附加值进一步向CW光源、高速EML阵列芯片等环节集中。 在技术分类上，光芯片按谐振腔工艺分为边发射（FP、DFB、EML）与面发射（VCSEL）两类。FP结构简单、成本低，多用于工业泵浦与短距离通信；DFB内置光栅、线宽极窄，是中长距离与高速率光通信核心光源；EML将发光与调制集成于单芯片，是高速长距核心；VCSEL易阵列化，用于机柜内部短距与消费电子；CW激光器仅输出稳定连续光，作为硅光/CPO外调制架构的核心光源，是

来源：zuudee | 日期：2026-09-23 | 格式：PDF | 页数：46