为何合肥长鑫科技可以成功：国产DRAM产业化与合肥产业培育模式分析（22页，2026年）

分类：半导体电子

标签：长鑫科技、DRAM存储器、合肥产业投资、国产替代、集成电路

摘要：东吴证券研究所于2026年9月9日发布固定收益领域深度报告《为何合肥长鑫科技可以成功？》，全文22页，由证券分析师李勇、徐津晶撰写。报告以长鑫科技完成科创板首次公开发行注册、并于2026年7月27日正式挂牌上市为切入点，围绕微观战略、中观格局、宏观环境三个层次，拆解这家中国大陆首家实现DRAM大规模商业化量产企业的产业化路径。数据来源包括公司招股说明书与2026年半年度报告、Omdia的市场份额统计、TrendForce的行业季度收入数据、《合肥市集成电路产业发展规划（2013-2020年）》等地方政府公开文件、相关上市公司年报，以及国家发展改革委2020年披露的产业集聚材料。 报告首先刻画DRAM赛道的三重结构性壁垒。其一是资本壁垒，12英寸DRAM产线单厂投资规模处于千亿元级别，持续折旧与设备更新形成长期资金压力；其二是技术壁垒，存储单元电荷控制、工艺微缩与良率爬坡需要长期工艺积累与专利储备；其三是规模壁垒，单位晶圆成本高度依赖产能规模，中小产能难以抵御周期性价格波动。全球市场长期由三星电子、SK海力士和美光科技三家占据九成以上份额。依据招股书援引的Omdia统计，以2025年第四

来源：zuudee | 日期：2026-09-10 | 格式：PDF | 页数：22