科技行业脉动：中国存储，重塑全球竞争格局（15页，2026年）

分类：半导体电子

标签：存储芯片、DRAM与NAND、长鑫存储、HBM、半导体设备国产化

摘要：本报告由摩根士丹利研究部于2026年8月28日发布，属「科技脉动」（Tech Bytes）系列，署名为金榮燦、黄敬恬、刘端、金贵哲四位股票分析师；英文原版题为《Tech Bytes: China Memory — Reshaping Global Competition》，本资料库收录的是其官方中文译本，译本标注以英文原版内容为准。报告以全球存储器产业为研究对象，覆盖DRAM与NAND两条主线，核心议题是长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）如何把政策支持与国内需求转化为制造规模，以及这一进程对三星电子、SK海力士、美光科技三家现有主导厂商的影响。研究方法上，报告综合公司公开数据、TrendForce市场份额统计、WSTS价格序列、TechInsights逆向分析、渠道调研，以及摩根士丹利自建的DRAM供需模型和剩余收益模型，预测区间从2023年延伸至2036年。全文15页共给出20张图表（Exhibit 1至Exhibit 20），其中第12页至第15页为信息披露、分析师认证与合规声明部分。 报告的第一个核心结论是产能规模的跨越式扩张。研究预计长鑫存储DRAM晶圆产能将从2025

来源：zuudee | 日期：2026-09-04 | 格式：PDF | 页数：15