2025国产化化合物半导体产业简报（40页，2026年）

分类：半导体电子

标签：化合物半导体、碳化硅SiC、氮化镓GaN、功率半导体、国产替代、第三代半导体

摘要：核心结论：化合物半导体（以碳化硅SiC与氮化镓GaN为代表）正从导入期迈向规模化放量阶段，成为第三代半导体国产替代的核心抓手。在新能源汽车、光伏储能、快充与数据中心等需求拉动下，国内SiC与GaN产业链加速完善，器件性能与良率持续提升，本土企业迎来份额扩张窗口。 关键数据：报告构建了面向中国半导体上市公司的量化评估模型，从技术创新（研发投入强度10%、研发人员占比10%）、财务健康（速动比率5%、1-资产负债率5%）、盈利能力（分产品归母净利20%、毛利率10%）、市场地位（分产品营收规模30%）、产能潜力（无形资产同比增长10%）五个维度，对以SiC/GaN为主要业务或硅基IGBT转型中的国内公司进行评分。时代电气、三安光电、斯达半导等企业在不同维度表现突出。 驱动因素：一是电动车电驱与充电系统对高压、高频、高温器件的需求倍增，SiC功率模块渗透率快速提升；二是快充与消费电子催生GaN功率器件放量；三是“双碳”目标与能源结构转型推动功率半导体整体扩容；四是政策与资本的持续投入加速国产产线落地。 产业链与竞争格局：SiC产业链涵盖衬底、外延、器件到模块，成本结构中衬底占比最高，是

来源：zuudee | 日期：2026-08-27 | 格式：PDF | 页数：40